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IDB4.5ON-1S
IDB2.5-ON-1S--.jpg
IDB4.5ON-1S
IDB4.5/ON-1S集成驅(qū)動模塊(以下簡稱驅(qū)動模塊),用于驅(qū)動單個大功率IGBT或MOS??梢则?qū)動1700V一下的大部分IGBT。單電源供電,具有過流短路保護(hù),先進(jìn)的保護(hù)輸出波形,在保護(hù)階段,加入恒壓緩沖關(guān)斷時間。
標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品通用技術(shù)參數(shù):

一、概述

IDB4.5/ON-1S集成驅(qū)動模塊(以下簡稱驅(qū)動模塊),用于驅(qū)動單個大功率IGBTMOS??梢则?qū)動1700V一下的大部分IGBT。單電源供電,具有過流短路保護(hù),先進(jìn)的保護(hù)輸出波形,在保護(hù)階段,加入恒壓緩沖關(guān)斷時間。

 

二、極限特性:

參數(shù)

測試條件

數(shù)值

單位

輸入信號電壓

VSIG


4.5

V

驅(qū)動電源電壓

VDD


26

V

瞬態(tài)輸出峰值電流

Io on

TON=1uS,D=0.01

+30

A

Io off

-30

輸出功率

Po


4.5

W

工作頻率

F


80

KHz

絕緣耐壓

Viso

AC 50Hz 1min

3500

V

 

三、電氣參數(shù):

參數(shù)

測試條件

最小值

典型值

最大值

單位

輸入?yún)?shù):

電源電壓(VDD


23.0

24.0

25.5

V

電源電流(IDD


20.0


210

mA

輸入信號(VSIG



2.5

4.5

V

信號輸入電流(ISIG

100KHz,Vin=H

9

10

11

mA

信號頻率范圍(fSIG


0


80

KHz

占空比


0


100

%

輸出特性

輸出電壓(VO

Vin   =15.0V

VO+

14

14.5

15

V

VO-

-7

-8.5

-9

V

輸出電流(IO

Ton=1μS  

D=0.01

IO+



30.0

A

IO-



-30.0

A

延遲時間

IOH=10mA

tDT   on


0.7


uS

tDT   off


1.2


uS

柵極電阻(Rg

外設(shè)置

0.5



Ω

保護(hù)特性

保護(hù)閾值(VOCP

可外設(shè)置

典型值為缺省值

6.0



V

保護(hù)盲區(qū)(Tb

可外設(shè)置

最小值為缺省值

3.5



μS

保護(hù)延時(Td

可外設(shè)置

最小值為缺省值

3.0



μS

軟關(guān)斷時間(Ts

可外設(shè)置

最小值為缺省值

5.6



μS

故障重啟時間(TRST

可外設(shè)置

最小值為缺省值


2.3


mS

故障信號延時(TALM



1.0


μS

故障輸出端電流(IALM

吸收電流



10

mA

其他

絕緣耐壓

AC/50HZ/1min



3500

Vrms

環(huán)境溫度


-40


85

儲存溫度


-50


125

 

四、原理框圖:

  1.png


五、引腳定義及功能說明:

序號

表示符號

說明

1

VSIG+

驅(qū)動信號輸入正電源輸入正

2

VSIG-

驅(qū)動信號輸入正電源輸入正

3


空腳

4


空腳

5

Cb

保護(hù)盲區(qū)時間調(diào)整端。

6

ROCP

過流保護(hù)閾值調(diào)整端。

7

VOCP

過流電壓檢測端。

8

Cd

保護(hù)延時時間調(diào)整端。

9


空腳

10

Cs

保護(hù)軟關(guān)斷時間調(diào)整端。

11

ALM

故障保護(hù)報警輸出端;低電平有效。

12

COM

驅(qū)動電源公共端。

13

CRES

重啟時間調(diào)整端。

14

VDD

驅(qū)動電源正端。

15

E

驅(qū)動電源公共端,接IGBT  E極。

16

-VEE

驅(qū)動電源負(fù)端。

17

VO+

驅(qū)動輸出正。

18

VO+

驅(qū)動輸出正。

19

VO-

驅(qū)動輸出負(fù)。

20

VO-

驅(qū)動輸出負(fù)。


六、調(diào)節(jié)說明:

2.png

     ATb 延時檢測時間(死區(qū)時間)

     BTd 保護(hù)延時時間

     CTs 軟關(guān)斷時間

 

當(dāng)7腳檢測到IGBT C極電壓超過保護(hù)閾值電壓后,保護(hù)電路封鎖輸入信號,如果經(jīng)過A段(Tb)時間后電壓扔沒有低于閾值,模塊認(rèn)為輸出可能短路,進(jìn)入B階段。如果這時候7腳電壓降至閾值一下,電路正常工作。B段時間為保護(hù)延時段,為了電路更可靠的工作,在保護(hù)電路中加入B段(Td, 如果經(jīng)過B段(Td)時間后7腳電壓扔沒有低于閾值,模塊認(rèn)為輸出短路,這是進(jìn)入C段(Ts),輸出輸入均鎖定,C段后模塊進(jìn)入定時啟動階段,經(jīng)過TRST時間后模塊放開輸入輸出鎖定,若過流故障解除,模塊正常工作;若故障未能解除,重復(fù)ABC階段。

 (1)       盲區(qū)時間調(diào)整(Tb

該時間可以通過5腳和12腳外接電容調(diào)節(jié),具體調(diào)節(jié)可參照下表:

CbpF

缺省

47

100

220

TbuS

3.0

5.4

8.2

14.6


(2)       延時時間調(diào)整(Td

     該時間可以通過8腳和12腳外接電容調(diào)節(jié),具體調(diào)節(jié)可參照下表:

CdpF

缺省

47

100

220

TduS

2.6

4.0

5.8

14.6


(3)       軟關(guān)斷時間調(diào)整

     該時間可以通過10腳和12腳外接電容調(diào)節(jié),具體調(diào)節(jié)可參照下表:

CsnF

缺省

2.2

4.7

10


TsuS

5.6

8.4

11.6

16



(4)       過流保護(hù)閾值調(diào)整

     具體調(diào)節(jié)關(guān)系如下表:

6腳和14腳之間接電阻可以降低VOCP

RpKΩ

缺省

200

100

47

20

VOCP

5.9

5.2

4.8

3.8

2.4

 

6腳和12腳之間接電阻可以提高VOCP

RpKΩ

缺省

200

100

47

20

VOCP

5.9

6.4

7.0

8.0

9.6

 

(5)       重啟時間調(diào)整

     該時間可以通過13腳和12腳外接電容調(diào)節(jié),具體調(diào)節(jié)可參照下表

CrstnF

缺省

2.2

4.7

10

TrstmS

2.2

3.4

4.5

6.6

 

 

七、測試電路:

3.png

 

推薦參數(shù):

Vsig=3.0V   

C1、C2 、C3C447μF/35V,選用低ESR電解電容;

R54.7-10KΩ 1/4W;

R6、R7:外部閾值調(diào)節(jié)電阻,可選用1/4W電阻,具體數(shù)值參照6)節(jié)說明;

Rs1、Rs2:驅(qū)動?xùn)艠O限流電阻,建議在0.5Ω-10.0Ω之間選擇;

R4 330Ω 1/4W

R1 220Ω 1/4W

D1、D2UF4007,當(dāng)主路電壓高于600V時,建議用兩個串聯(lián)使用;

DZ115-30V  1/2W穩(wěn)壓管;

DZ2、DZ318V  1.0W穩(wěn)壓管。

 

八、外形尺寸:

4.png

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


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